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K4X51163PC	文件：217.36 Kbytes Page：23 Pages	32M x16 Mobile-DDR SDRAM FEATURES • 1.8V power supply, 1.8V I/O power • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • 1 /CS • 1 CKE • Differential clock inputs(CK and CK) • MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 2, 3 ) 文件：217.36 Kbytes 页数：23 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4X51163PC-FEC3	文件：217.36 Kbytes Page：23 Pages	32M x16 Mobile-DDR SDRAM FEATURES • 1.8V power supply, 1.8V I/O power • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • 1 /CS • 1 CKE • Differential clock inputs(CK and CK) • MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 2, 3 ) 文件：217.36 Kbytes 页数：23 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4X51163PC-FECA	文件：217.36 Kbytes Page：23 Pages	32M x16 Mobile-DDR SDRAM FEATURES • 1.8V power supply, 1.8V I/O power • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • 1 /CS • 1 CKE • Differential clock inputs(CK and CK) • MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 2, 3 ) 文件：217.36 Kbytes 页数：23 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4X51163PC-FGC3	文件：217.36 Kbytes Page：23 Pages	32M x16 Mobile-DDR SDRAM FEATURES • 1.8V power supply, 1.8V I/O power • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • 1 /CS • 1 CKE • Differential clock inputs(CK and CK) • MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 2, 3 ) 文件：217.36 Kbytes 页数：23 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4X51163PC-FGCA	文件：217.36 Kbytes Page：23 Pages	32M x16 Mobile-DDR SDRAM FEATURES • 1.8V power supply, 1.8V I/O power • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • 1 /CS • 1 CKE • Differential clock inputs(CK and CK) • MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 2, 3 ) 文件：217.36 Kbytes 页数：23 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4X51163PC-LEC3	文件：217.36 Kbytes Page：23 Pages	32M x16 Mobile-DDR SDRAM FEATURES • 1.8V power supply, 1.8V I/O power • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • 1 /CS • 1 CKE • Differential clock inputs(CK and CK) • MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 2, 3 ) 文件：217.36 Kbytes 页数：23 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4X51163PC-LECA	文件：217.36 Kbytes Page：23 Pages	32M x16 Mobile-DDR SDRAM FEATURES • 1.8V power supply, 1.8V I/O power • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • 1 /CS • 1 CKE • Differential clock inputs(CK and CK) • MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 2, 3 ) 文件：217.36 Kbytes 页数：23 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4X51163PC-LGC3	文件：217.36 Kbytes Page：23 Pages	32M x16 Mobile-DDR SDRAM FEATURES • 1.8V power supply, 1.8V I/O power • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • 1 /CS • 1 CKE • Differential clock inputs(CK and CK) • MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 2, 3 ) 文件：217.36 Kbytes 页数：23 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4X51163PC-LGCA	文件：217.36 Kbytes Page：23 Pages	32M x16 Mobile-DDR SDRAM FEATURES • 1.8V power supply, 1.8V I/O power • Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle • Bidirectional data strobe(DQS) • Four banks operation • 1 /CS • 1 CKE • Differential clock inputs(CK and CK) • MRS cycle with address key programs - CAS Latency ( 2, 3 ) 文件：217.36 Kbytes 页数：23 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4X51163PE-L	文件：534.34 Kbytes Page：20 Pages	32Mx16 Mobile DDR SDRAM 文件：534.34 Kbytes 页数：20 Pages	Samsung 三星	Samsung

详细参数

型号：
K4X51163
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
32M x16 Mobile-DDR SDRAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市佳杰伟业科技有限公司	K4X51163PC-FGCA	SAMSUNG/三星	2408+	BGA	3668	优势代理渠道,原装现货,可全系列订货	询价
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