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K4X56163PE-LG	文件：698.97 Kbytes Page：48 Pages	16M x16 Mobile DDR SDRAM FEATURES •1.8Vpowersupply,1.8VI/Opower •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •MRScyclewithaddresskeyprograms -CASLatency(3) -BurstLength(2	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4X56163PE	文件：698.97 Kbytes Page：48 Pages	16Mx16MobileDDRSDRAM FEATURES •1.8Vpowersupply,1.8VI/Opower •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •MRScyclewithaddresskeyprograms -CASLatency(3) -BurstLength(2	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4X56163PE-LFG	文件：698.97 Kbytes Page：48 Pages	16Mx16MobileDDRSDRAM FEATURES •1.8Vpowersupply,1.8VI/Opower •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •MRScyclewithaddresskeyprograms -CASLatency(3) -BurstLength(2	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4X56163PG	文件：217.6 Kbytes Page：23 Pages	16Mx16Mobile-DDRSDRAM FEATURES •1.8Vpowersupply,1.8VI/Opower •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •MRScyclewithaddresskeyprograms -CASLatency(2,3) -BurstLength	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4X56163P-L	文件：523.25 Kbytes Page：20 Pages	16Mx16MobileDDRSDRAM FEATURES •VDD/VDDQ=1.8V/1.8V •Double-data-ratearchitecture;twodatatransfersperclockcycle •Bidirectionaldatastrobe(DQS) •Fourbanksoperation •Differentialclockinputs(CKandCK) •MRScyclewithaddresskeyprograms -CASLatency(2,3) -BurstLength(2,4,8,16	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung

详细参数

型号：
K4X56163PE-LG
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
16M x16 Mobile DDR SDRAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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