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K4N51163QC-ZC	文件：1.42025 Mbytes Page：64 Pages	512Mbit gDDR2 SDRAM GENERAL DESCRIPTION The 512Mb gDDR2 SDRAM chip is organized as 8Mbit x 16 I/O x 4banks banks device. This synchronous device achieve high speed graphic double-data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with the following key gDDR2 SDRA 文件：1.42025 Mbytes 页数：64 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4N51163QC-ZC25	文件：1.42025 Mbytes Page：64 Pages	512Mbit gDDR2 SDRAM GENERAL DESCRIPTION The 512Mb gDDR2 SDRAM chip is organized as 8Mbit x 16 I/O x 4banks banks device. This synchronous device achieve high speed graphic double-data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with the following key gDDR2 SDRA 文件：1.42025 Mbytes 页数：64 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4N51163QC-ZC2A	文件：1.42025 Mbytes Page：64 Pages	512Mbit gDDR2 SDRAM GENERAL DESCRIPTION The 512Mb gDDR2 SDRAM chip is organized as 8Mbit x 16 I/O x 4banks banks device. This synchronous device achieve high speed graphic double-data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with the following key gDDR2 SDRA 文件：1.42025 Mbytes 页数：64 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4N51163QC-ZC33	文件：1.42025 Mbytes Page：64 Pages	512Mbit gDDR2 SDRAM GENERAL DESCRIPTION The 512Mb gDDR2 SDRAM chip is organized as 8Mbit x 16 I/O x 4banks banks device. This synchronous device achieve high speed graphic double-data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with the following key gDDR2 SDRA 文件：1.42025 Mbytes 页数：64 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4N51163QC-ZC36	文件：1.42025 Mbytes Page：64 Pages	512Mbit gDDR2 SDRAM GENERAL DESCRIPTION The 512Mb gDDR2 SDRAM chip is organized as 8Mbit x 16 I/O x 4banks banks device. This synchronous device achieve high speed graphic double-data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with the following key gDDR2 SDRA 文件：1.42025 Mbytes 页数：64 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4N51163QG	文件：207.54 Kbytes Page：3 Pages	Graphic Memory GRAPHIC MEMORY COMPONENT PRODUCT GUIDES 文件：207.54 Kbytes 页数：3 Pages	Samsung 三星	Samsung
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K4N51163QC-ZC	文件：300 bytes Page：1 Pages	512Mbit gDDR2 SDRAM	Samsung 三星	Samsung

详细参数

型号：
K4N51163
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
512Mbit gDDR2 SDRAM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凌旭科技有限公司	K4N51163QC-ZC33	SAMSUNG	2016+	BGA	3500	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
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深圳市勤思达科技有限公司	K4N51163QE-HC20	SAMSUNG	24+	BGA	5000	全新原装正品,现货销售	询价
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更多K4N51163供应商更新时间2025-12-25 16:55:00

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