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K4N51163QC-ZC25

512Mbit gDDR2 SDRAM

GENERAL DESCRIPTION The 512Mb gDDR2 SDRAM chip is organized as 8Mbit x 16 I/O x 4banks banks device. This synchronous device achieve high speed graphic double-data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with the following key gDDR2 SDRA

文件:1.42025 Mbytes 页数:64 Pages

Samsung

三星

K4P4G324EQ-RGC2

SAMSUNG/三星
BGA

SAMSUNG/三星

上传:深圳庞田科技有限公司

SAMSUNG/三星

K4P8G304EB-AGC2

SAMSUNG
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K4RAH165VB-BCQK

SAMSUNG(三星半导体)
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SAMSUNG(三星半导体)

上传:深圳市高捷芯城科技有限公司

SAMSUNG(三星半导体)

K4S2808320-LC75

SAMSUNG/三星
TSOP

SAMSUNG/三星

上传:深圳庞田科技有限公司

SAMSUNG/三星

详细参数

  • 型号:

    K4N51163QC-ZC25

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    512Mbit gDDR2 SDRAM

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更多K4N51163QC-ZC25供应商 更新时间2025-10-9 11:01:00