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K4E151612D	文件：553.93 Kbytes Page：35 Pages	1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out DESCRIPTION Thisisafamilyof1,048,576x16bitExtendedDataOutCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow,socalledHyperPageMode.Powersupplyvoltage(+5.0Vor+3.3V),refreshcycle(1KRef.or4KRef.),accesstime(-45,-5	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung

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K4E151612D

文件：553.93 Kbytes

Page：35 Pages

1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION Thisisafamilyof1,048,576x16bitExtendedDataOutCMOSDRAMs.ExtendedDataOutModeoffershighspeedrandomaccessofmemorycellswithinthesamerow,socalledHyperPageMode.Powersupplyvoltage(+5.0Vor+3.3V),refreshcycle(1KRef.or4KRef.),accesstime(-45,-5

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

Samsung

详细参数

型号：
K4E151612D
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

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