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K4E151612D

1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

DESCRIPTION This is a family of 1,048,576 x 16 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (1K Ref. or 4K Ref.), access time (-45, -5

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Samsung

三星

K4E4E164EB-EGCE

SAMSUNG/三星
BGA

SAMSUNG/三星

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SAMSUNG/三星

K4E4E164EE-SGCE

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K4E640412E-TC50

XILINX
QFP

Xilinx

赛灵思

上传:深圳市芯国创科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    K4E151612D

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全称:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

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更多K4E151612D供应商 更新时间2025-10-10 10:40:00