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K4B4G1646E-BYK0	文件：300 bytes Page：1 Pages	DDR3 • High Speed and Performance\n• Low Power, Efficient DRAM Solution;	Samsung 三星	Samsung
K4B4G1646E-BYK0	文件：1.98169 Mbytes Page：71 Pages	4Gb E-die DDR3L SDRAM 文件：1.98169 Mbytes 页数：71 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4B4G1646E-BYK000	文件：300 bytes Page：1 Pages	EEPROM	Samsung 三星	Samsung
K4B4G1646E-BYK000	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL	Samsung Semiconductor, Inc.	Samsung Semiconductor, Inc.

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更多K4B4G1646E-BYK0供应商更新时间2022-10-9 9:39:00