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K4B4G1646E-BYK0数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

K4B4G1646E-BYK0

参数属性

K4B4G1646E-BYK0 包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL

功能描述

DDR3

制造商

Samsung Samsung semiconductor

中文名称

三星 三星半导体

原厂标识
Samsung
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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K4B4G1646E-BYK0规格书详情

特性 Features

• High Speed and Performance
• Low Power, Efficient DRAM Solution

技术参数

  • 制造商编号

    :K4B4G1646E-BYK0

  • 生产厂家

    :Samsung

  • Org.

    :512M x 8

  • Speed

    :1600 Mbps

  • Voltage

    :1.35 V

  • Temp.

    :0 ~ 85 °C

  • Package

    :96FBGA

  • Product Status

    :Mass Production

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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