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K4B4G1646B	文件：1.00226 Mbytes Page：64 Pages	4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16 The4GbDDR3SDRAMB-dieisorganizedasa32Mbitx16I/Osx8banks,device.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddouble-data-ratetransferratesofupto2133Mb/sec/pin(DDR3-2133)forgeneralapplications. KeyFeatures •JEDECstandard1.5V(1.425V~1.575V) •VDDQ=1.5V(1.425V~1.575V)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
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K4B4G1646D-BC	文件：4.63909 Mbytes Page：28 Pages	PRODUCTSELECTIONGUIDEDisplays,MemoryandStorage Samsungcontinuestoleadtheindustrywiththebroadestportfolioofmemoryproductsand displaytechnology.Itsdisplaypanels,DRAM,flash,mobileandgraphicsmemoryarefoundinmany computers–fromultrabookstopowerfulservers–andinawiderangeofhandhelddevicessuch assmartphon	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4B4G1646E	文件：1.98169 Mbytes Page：71 Pages	4GbE-dieDDR3LSDRAM	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
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K4B4G1646Q	文件：522.69 Kbytes Page：65 Pages	4GbQ-dieDDR3LSDRAMOlnyx1696FBGAwithLead-Free&Halogen-Free(RoHScompliant)1.35V	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
K4B4G1646Q-HC	文件：4.63909 Mbytes Page：28 Pages	PRODUCTSELECTIONGUIDEDisplays,MemoryandStorage Samsungcontinuestoleadtheindustrywiththebroadestportfolioofmemoryproductsand displaytechnology.Itsdisplaypanels,DRAM,flash,mobileandgraphicsmemoryarefoundinmany computers–fromultrabookstopowerfulservers–andinawiderangeofhandhelddevicessuch assmartphon	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung

详细参数

型号：
K4B4G1646B
制造商：
Samsung Semiconductor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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