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K4B4G1646B-HPH9	文件：1.00226 Mbytes Page：64 Pages	4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16 The 4Gb DDR3 SDRAM B-die is organized as a 32Mbit x 16 I/Os x 8banks, device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) for general applications. Key Features • JEDEC standard 1.5V(1.425V~1.575V) • VDDQ = 1.5V(1.425V~1.575V) 文件：1.00226 Mbytes 页数：64 Pages	Samsung 三星	Samsung
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更多K4B4G1646B-HPH9供应商更新时间2025-12-16 9:31:00