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K4B4G1646B-HCK0	文件：1.00226 Mbytes Page：64 Pages	4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16 The4GbDDR3SDRAMB-dieisorganizedasa32Mbitx16I/Osx8banks,device.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddouble-data-ratetransferratesofupto2133Mb/sec/pin(DDR3-2133)forgeneralapplications. KeyFeatures •JEDECstandard1.5V(1.425V~1.575V) •VDDQ=1.5V(1.425V~1.575V)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung

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K4B4G1646B-HCK0

文件：1.00226 Mbytes

Page：64 Pages

4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16

The4GbDDR3SDRAMB-dieisorganizedasa32Mbitx16I/Osx8banks,device.Thissynchronousdeviceachieveshighspeeddouble-data-ratetransferratesofupto2133Mb/sec/pin(DDR3-2133)forgeneralapplications. KeyFeatures •JEDECstandard1.5V(1.425V~1.575V) •VDDQ=1.5V(1.425V~1.575V)

SamsungSamsung Group

三星三星半导体

Samsung

详细参数

型号：
K4B4G1646B-HCK0
制造商：
Samsung Semiconductor

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更多K4B4G1646B-HCK0供应商更新时间2024-4-29 9:36:00

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