K4B4G1646B-HIK0技术资料参数原装现货三星-114ic电子网

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
K4B4G1646B-HIK0	文件：1.00226 Mbytes Page：64 Pages	4Gb B-die DDR3 SDRAM Olny x16 The 4Gb DDR3 SDRAM B-die is organized as a 32Mbit x 16 I/Os x 8banks, device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 2133Mb/sec/pin (DDR3-2133) for general applications. Key Features • JEDEC standard 1.5V(1.425V~1.575V) • VDDQ = 1.5V(1.425V~1.575V) 文件：1.00226 Mbytes 页数：64 Pages	Samsung 三星	Samsung
K4B4G1646D-BCKO	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	三星上传：深圳市三德芯源科技有限公司	三星
K4B4G1646D-BFMA	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	Samsung 三星上传：深圳市云中傲科技有限公司	Samsung
K4B4G1646D-BYMA	文件：0 bytes Page：0 Pages	FBGA-96	SAMSUNG(三星半导体) 上传：深圳市高捷芯城科技有限公司	SAMSUNG(三星半导体)
K4B4G1646E-BCK0	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	Samsung 三星上传：深圳市虞达美电子有限公司	Samsung

更多K4B4G1646B-HIK0供应商更新时间2025-12-5 20:24:00