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TK39J60W5

丝印:K39J60W5;Package:TO-3P;MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Fast reverse recovery time: trr = 150 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.062 Ω (typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS (3) Easy to control Gate switching (4) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 4.5 V (VDS

文件:238.72 Kbytes 页数:10 Pages

TOSHIBA

东芝

详细参数

  • 型号:

    K39J60W5

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多K39J60W5供应商 更新时间2025-8-8 17:22:00