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EM6K6	文件：108.6 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K06；Package：EMT6；1.8V Drive NchNch MOSFET 文件：108.6 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EM6K6	文件：87.2 Kbytes Page：4 Pages	丝印：K06；Package：EMT6；1.8V Drive NchNch MOSFET 文件：87.2 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
K0681-K60	文件：323.06 Kbytes Page：17 Pages	Multilayer Chip Capacitors 文件：323.06 Kbytes 页数：17 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
K0682-K01	文件：323.06 Kbytes Page：17 Pages	Multilayer Chip Capacitors 文件：323.06 Kbytes 页数：17 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
K0682-K60	文件：323.06 Kbytes Page：17 Pages	Multilayer Chip Capacitors 文件：323.06 Kbytes 页数：17 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
K0683-K60	文件：323.06 Kbytes Page：17 Pages	Multilayer Chip Capacitors 文件：323.06 Kbytes 页数：17 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
K06N60	文件：687.1 Kbytes Page：16 Pages	Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode 文件：687.1 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
K06R60	文件：1.89039 Mbytes Page：16 Pages	IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage 文件：1.89039 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
K06T60	文件：520.58 Kbytes Page：13 Pages	IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode 文件：520.58 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
AOK065V65X2	文件：880.04 Kbytes Page：9 Pages	丝印：K065V65X2；Package：TO-247-3L；650V αSiC Silicon Carbide Power MOSFET Features • Proprietary αSiC MOSFET technology • Low loss, fast switching speeds with low RG • Optimized drive voltage (VGS =15V) for broad driver compatibility • Robust body diode and low Qrr Applications • Renewable • Industrial • EV Charger • UPS • Solar Inverters 文件：880.04 Kbytes 页数：9 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

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技术参数

封装：
EMT6
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-563
JEITA Package：
SC-107C
Number of terminal：
6
Polarity：
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
20
Drain Current ID[A]：
0.3
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)：
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.7
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.8
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Drive Voltage[V]：
1.8
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.6x1.6 (t=0.55)

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技术参数

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