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JS28F256P30B

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

文件:1.36605 Mbytes 页数:98 Pages

Micron

美光

JS28F256P30B85

Intel StrataFlash Embedded Memory

Introduction This document provides information about the Intel StrataFlash® Embedded Memory (P30) device and describes its features, operation, and specifications. Product Features ■ High performance — 85/88 ns initial access — 40 MHz with zero wait states, 20 ns clock-to data output

文件:1.60991 Mbytes 页数:102 Pages

Intel

英特尔

JS28F256P30B95

Numonyx StrataFlash Embedded Memory

文件:1.39934 Mbytes 页数:99 Pages

NUMONYX

JS28F256P30B95A

Numonyx StrataFlash Embedded Memory

文件:1.23359 Mbytes 页数:97 Pages

Micron

美光

JS28F256P30BFE

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

文件:1.36605 Mbytes 页数:98 Pages

Micron

美光

JS28F256P30BFE

256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm

文件:1.35186 Mbytes 页数:95 Pages

Micron

美光

JS28F256P30BFF

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

文件:1.36605 Mbytes 页数:98 Pages

Micron

美光

JS28F256P30BFF

256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm

文件:1.35186 Mbytes 页数:95 Pages

Micron

美光

JS28F256P30B95B TR

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

Micron

美光

JS28F256P30BFA

MLC 256M X16 TSOP

Micron

美光

技术参数

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    FLASH - NOR

  • 存储容量:

    256Mb (16M x 16)

  • 时钟频率:

    40MHz

  • 写周期时间 - 字,页:

    95ns

  • 访问时间:

    95ns

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    1.7V ~ 2V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    56-TFSOP(0.724\,18.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    56-TSOP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INTEL/英特尔
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TSOP56
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更多JS28F256P30B供应商 更新时间2025-10-7 8:40:00