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JS28F256P30BFE中文资料美光数据手册PDF规格书

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厂商型号

JS28F256P30BFE

功能描述

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

文件大小

1.36605 Mbytes

页面数量

98

生产厂商

Micron

中文名称

美光

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 18:15:00

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产品属性

  • 型号:

    JS28F256P30BFE

  • 功能描述:

    IC FLASH 256MBIT 56TSOP

  • RoHS:

  • 类别:

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列:

    Axcell™

  • 标准包装:

    2,000

  • 系列:

    MoBL® 格式 -

  • 存储器:

    RAM

  • 存储器类型:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    16M(2M x 8,1M x 16)

  • 速度:

    45ns

  • 接口:

    并联

  • 电源电压:

    2.2 V ~ 3.6 V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    48-VFBGA

  • 供应商设备封装:

    48-VFBGA(6x8)

  • 包装:

    带卷(TR)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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