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JANTXV2N6286

Darlington PNP Silicon Power -80V to -100V, -20A

This specification covers the performance requirements for PNP, Darlington, power, 2N6286 and 2N6287 transistors for use in particular power-switching applications. Three levels of product assurance (JAN, JANTX and JANTXV) are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500/ The device package outlines are as follows: similar to TO-3 for all encapsulated device types.;

Microchip

微芯科技

JANTXV2N6286

Package:TO-204AA,TO-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 80V 20A TO204AA

MICROCHIP

微芯科技

2N6286

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

文件:58.36 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

2N6286

DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

文件:218.76 Kbytes 页数:4 Pages

BOCA

博卡

2N6286

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

Darlington Complementary Silicon Power Transistors . . . designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applications. • High DC Current Gain @ IC = 10 Adc — hFE = 2400 (Typ) — 2N6282, 2N6283, 2N6284 hFE = 4000 (Typ) — 2N6285, 2N6286, 2N6287 • Collector–Emitter Sustai

文件:214.32 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    JANTXV2N6286

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/505

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 200mA,20A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1250 @ 10A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-204AA(TO-3)

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 80V 20A TO204AA

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更多JANTXV2N6286供应商 更新时间2026-2-8 15:30:00