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JANTX2N3583	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-213AA，TO-66-2 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 175V 0.01A TO66	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
2N3583	文件：217.42 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(35W)	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
2N3583	文件：224.71 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARYMEDIUM-POWERHIGHVOLTAGEPOWERTRANSISTORS	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司	boca
2N3583	文件：63.42 Kbytes Page：3 Pages	5Amp,250V,HighVoltageNPNSiliconPowerTransistors	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
2N3583	文件：51.32 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistors PowerTransistorsTO-66Case	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N3583	文件：166.06 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORS. NPNSILICONPOWERTRANSISTORS. Highvoltagepowertransistorsdesignedforindustrialandmilitaryapplications. TO-66metalcase. CompliancetoRoHS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
2N3583	文件：158.62 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •ContunuousCollectorCurrent-IC=1A •PowerDissipation-PD=35W@TC=25℃ •Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=5.0V(Max)@IC=1A APPLICATIONS •Designedforhigh-speedswitchingandlinearamplifierapplication forhigh-voltageoperationalamplifiers,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2N3583	文件：435.75 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N3583seriesdevicesaresiliconNPNtransistorsdesignedforhighspeedswitchingandhighvoltageamplifierapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N3583	文件：16.1 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO66	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
2N3583	文件：344.43 Kbytes Page：2 Pages	SILICONNPNTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
2N3583	文件：103.09 Kbytes Page：1 Pages	SINPNPOWERBJT SiliconNPN,PNPPowerTransostors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N3583	文件：102.4 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORS.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
2N3583	文件：362.52 Kbytes Page：2 Pages	SPRINGFIELD,NEWJERSEY07081 SiliconNPN,PNPPowerTransostors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
2N3583	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUMPNPTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1

产品属性

产品编号：
JANTX2N3583
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电流 - 集电极截止（最大值）：
10mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 500mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-213AA，TO-66-2
供应商器件封装：
TO-66（TO-213AA）
描述：
TRANS NPN 175V 0.01A TO66

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更多JANTX2N3583供应商更新时间2024-5-23 17:44:00

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