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JANTX2N3635	文件：57.89 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 文件：57.89 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
JANTX2N3635	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Silicon Amplifier -140V, -1A This specification covers the performance requirements for PNP, silicon, radiation hardened, low-power amplifier, and switching 2N3634 through 2N3637 transistors. Four levels of product assurance are provided for each encapsulated device (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) as specified in MIL-PRF-19500/35 The device package for the encapsulated device type are as follows: TO-5 and TO-39 and surface mount. \nThe dimensions and topography for JANHC and JANKC unencapsulated die are as outlined in MIL-PRF-19500/357.;	Microchip 微芯科技	Microchip
JANTX2N3635	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-205AD，TO-39-3 金属罐；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 140V 1A TO39	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
JANTX2N3635L	文件：57.89 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 文件：57.89 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
JANTX2N3635L	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Silicon Amplifier -140V, -1A This specification covers the performance requirements for PNP, silicon, radiation hardened, low-power amplifier, and switching 2N3634 through 2N3637 transistors. Four levels of product assurance are provided for each encapsulated device (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) as specified in MIL-PRF-19500/35 The device package for the encapsulated device type are as follows: TO-5 and TO-39 and surface mount. \nThe dimensions and topography for JANHC and JANKC unencapsulated die are as outlined in MIL-PRF-19500/357.;	Microchip 微芯科技	Microchip
JANTX2N3635UB	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP Silicon Amplifier -140V, -1A This specification covers the performance requirements for PNP, silicon, radiation hardened, low-power amplifier, and switching 2N3634 through 2N3637 transistors. Four levels of product assurance are provided for each encapsulated device (JAN, JANTX, JANTXV and JANS) as specified in MIL-PRF-19500/35 The device package for the encapsulated device type are as follows: TO-5 and TO-39 and surface mount. \nThe dimensions and topography for JANHC and JANKC unencapsulated die are as outlined in MIL-PRF-19500/357.;	Microchip 微芯科技	Microchip
JANTX2N3635UB	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-SMD，无引线；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 140V 1A 3SMD	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
JANTX2N3635UB/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-SMD，无引线；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 140V 1A 3SMD	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP

产品属性

产品编号：
JANTX2N3635
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Military, MIL-PRF-19500/357
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 50mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：
TO-39（TO-205AD）
描述：
TRANS PNP 140V 1A TO39

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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