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|---|---|---|---|---|
JANSR2N7479U3 | 抗辐射 MOSFET 抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7479U3 是一款单个器件，采用 SMD-0.5 封装，可处理高达 30V 和 22A 的电压。符合 QPL 标准，电气性能高达 100krad(Si) TID，适用于空间应用。低 RDS(on) 和低栅极电荷可提供高性能、低功耗和快速切换。该 R5 设备提供电压控制和电气参数的温度稳定性。 | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
JANSR2N7479U3 | Simple Drive Requirements 文件：136.88 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | |
Simple Drive Requirements 文件：136.88 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
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Simple Drive Requirements 文件：136.88 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF |
技术参数
- ID (@100°C) max：
22 A
- ID (@25°C) max：
22 A
- QG：
65 nC
- QPL Part Number：
2N7479U3
- RDS (on)(@25°C) max：
20 mΩ
- TIDmax：
100 Krad(Si)
- VBRDSS：
30 V
- VFmax：
1.2 V
- Product Category：
Rad hard MOSFETS
- Optional TID Rating(kRad(si))：
100 300 500
- Package：
SMD-0.5
- Polarity：
N
- Generation：
R5
- Voltage Class：
100 V
- Die Size：
3
- Qualification：
DLA
- Language：
SPICE
- Configuration：
Discrete
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
SOP |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOP |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOP |
7000 |
询价 | |||
IR/美国国际整流 |
23+ |
TO-257AA |
5000 |
公司只做原装,可配单 |
询价 |
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更新时间2025-11-26 10:01:00
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