JANSR2N7479U3中文资料抗辐射 MOSFET数据手册Infineon规格书

描述 Description

抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7479U3 是一款单个器件，采用 SMD-0.5 封装，可处理高达 30V 和 22A 的电压。符合 QPL 标准，电气性能高达 100krad(Si) TID，适用于空间应用。低 RDS(on) 和低栅极电荷可提供高性能、低功耗和快速切换。该 R5 设备提供电压控制和电气参数的温度稳定性。