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JANSF2N7626UBN	文件：300 bytes Page：1 Pages	抗辐射 MOSFET P 通道 MOSFET JANSF2N7626UBN 是单个抗辐射元件，额定电压为 -60V，容量为 -0.53A。其 UBN 封装具有高达 300krad(Si) TID 和 QPL 资格的电气性能，非常适合空间应用。R7 MOSFET 具有低 RDS(on) 和功率损耗，非常适合空间电源系统中的 DC-DC 转换器和电机驱动器。	Infineon 英飞凌	Infineon
JANSR2N7626UB	文件：231.1 Kbytes Page：11 Pages	RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (UB) 文件：231.1 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
JANSR2N7382	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP	IR 国际整流器上传：深圳市东来宝电子科技有限公司	IR
JANSR2N7391	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP	Infineon / IR 上传：深圳市近平电子有限公司	Infineon / IR
JANTX-1N3595	文件：0 bytes Page：0 Pages	SSOP	Microsemi 美高森美上传：深圳市莱克讯科技有限公司	Microsemi

技术参数

ID (@100°C) max：
-0.33 A
ID (@25°C) max：
-0.53 A
QG：
3.6 nC
QPL Part Number：
2N7626UB
RDS (on)(@25°C) max：
1300 mΩ
TIDmax：
300 Krad(Si)
VBRDSS：
-60 V
VFmax：
-5 V
Product Category：
Rad hard MOSFETS
Optional TID Rating(kRad(si))：
100 300
Package：
UB
Polarity：
P
Generation：
R7
Voltage Class：
100 V
Die Size：
2
Qualification：
DLA
Language：
SPICE
Configuration：
Discrete

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更多JANSF2N7626UBN供应商更新时间2025-10-30 11:06:00

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