首页>JANSF2N7626UBN>规格书详情
JANSF2N7626UBN中文资料抗辐射 MOSFET数据手册Infineon规格书
JANSF2N7626UBN规格书详情
描述 Description
P 通道 MOSFET JANSF2N7626UBN 是单个抗辐射元件，额定电压为 -60V，容量为 -0.53A。其 UBN 封装具有高达 300krad(Si) TID 和 QPL 资格的电气性能，非常适合空间应用。R7 MOSFET 具有低 RDS(on) 和功率损耗，非常适合空间电源系统中的 DC-DC 转换器和电机驱动器。
技术参数
- 制造商编号
：JANSF2N7626UBN
- 生产厂家
：Infineon
- ID (@100°C) max
：-0.33 A
- ID (@25°C) max
：-0.53 A
- QG
：3.6 nC
- QPL Part Number
：2N7626UB
- RDS (on)(@25°C) max
：1300 mΩ
- TIDmax
：300 Krad(Si)
- VBRDSS
：-60 V
- VFmax
：-5 V
- Product Category
：Rad hard MOSFETS
- Optional TID Rating(kRad(si))
：100 300
- Package
：UB
- Polarity
：P
- Generation
：R7
- Voltage Class
：100 V
- Die Size
：2
- Qualification
：DLA
- Language
：SPICE
- Configuration
：Discrete
