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JANSD2N3057A

Rad-Hard Transistors

This RHA level 2N3057A NPN Silicon Transistor device is military qualified per MIL-PRF-19500/391 up to a JANSR level for high-reliability applications requiring a radiation hardened device. Microsemi also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation applications.

Microchip

微芯科技

JANSD2N3057A

Package:TO-206AB,TO-46-3 金属罐;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:RH SMALL-SIGNAL BJT

MICROCHIP

微芯科技

JANTX2N3057A

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/391

文件:71.18 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

JANTXV2N3057A

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/391

文件:71.18 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

产品属性

  • 产品编号:

    JANSD2N3057A

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/391

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-206AB,TO-46-3 金属罐

  • 供应商器件封装:

    TO-46

  • 描述:

    RH SMALL-SIGNAL BJT

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多JANSD2N3057A供应商 更新时间2026-10-30 11:06:00