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JANSF2N7583U2A	文件：1.45948 Mbytes Page：14 Pages	Radiation Hardened Power MOSFET Surface Mount (SupIR-SMD™) 200V, 56A, N-channel, R6 Technology Features Singleeventeffect(SEE)hardened (uptoLETof90MeV·cm2/mg) LowRDS(on) Lowtotalgatecharge Simpledriverequirements Hermeticallysealed Ceramicpackage Lightweight Surfacemount ESDrating:Class3AperMIL-STD-750,Method1020 PotentialApplication	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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Radiation Hardened Power MOSFET Surface Mount (SupIR-SMD™) 200V, 56A, N-channel, R6 Technology

Features Singleeventeffect(SEE)hardened (uptoLETof90MeV·cm2/mg) LowRDS(on) Lowtotalgatecharge Simpledriverequirements Hermeticallysealed Ceramicpackage Lightweight Surfacemount ESDrating:Class3AperMIL-STD-750,Method1020 PotentialApplication

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