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JANSF2N7660U3CE	文件：567.55 Kbytes Page：14 Pages	Radiation Hardened Power MOSFET Surface Mount (SMD-0.5e Ceramic Lid) -100V, -24A, P-channel, R9 Superjunction Technology Features •Singleeventeffect(SEE)hardened (uptoLETof91.2MeV·cm2/mg) •LowRDS(on) •RuggedSOA •ImprovedAvalancheEnergy •Simpledriverequirements •Hermeticallysealed •Ceramicpackage •Lightweight •Surfacemount •ESDrating:Class2perMIL-STD-750,Method1020 Po	IRF International Rectifier	IRF
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Radiation Hardened Power MOSFET Surface Mount (SMD-0.5e Ceramic Lid) -100V, -24A, P-channel, R9 Superjunction Technology

Features •Singleeventeffect(SEE)hardened (uptoLETof91.2MeV·cm2/mg) •LowRDS(on) •RuggedSOA •ImprovedAvalancheEnergy •Simpledriverequirements •Hermeticallysealed •Ceramicpackage •Lightweight •Surfacemount •ESDrating:Class2perMIL-STD-750,Method1020 Po

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International Rectifier

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JANSR2N7660U3CE

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RadiationHardenedPowerMOSFETSurfaceMount(SMD-0.5eCeramicLid)-100V,-24A,P-channel,R9SuperjunctionTechnology

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更多JANSF2N7660U3CE供应商更新时间2025-5-25 11:06:00

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