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IXYN110N120A4	文件：527.79 Kbytes Page：3 Pages	Ultra Low-Vsat IGBT DESCRIPTION ·IsolationVoltage2500V~ ·OptimizedforLowConductionLosses ·PositiveThermalCoefficientofVce(sat) ·HighCurrentHandlingCapability APPLICATIONS ·PowerInverters ·UPS ·MotorDrives ·SMPS ·PFCCircuits ·WeldingMachines	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXYN110N120A4	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 110A GNX4 XPT SOT227B	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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IXYN110N120A4

文件：527.79 Kbytes

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Ultra Low-Vsat IGBT

DESCRIPTION ·IsolationVoltage2500V~ ·OptimizedforLowConductionLosses ·PositiveThermalCoefficientofVce(sat) ·HighCurrentHandlingCapability APPLICATIONS ·PowerInverters ·UPS ·MotorDrives ·SMPS ·PFCCircuits ·WeldingMachines

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

IXYN110N120A4

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 110A GNX4 XPT SOT227B

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

产品属性

产品编号：
IXYN110N120A4
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
XPT™, GenX4™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，110A
开关能量：
2.5mJ（开），8.4mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
42ns/550ns
测试条件：
600V，50A，2 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：
SOT-227B
描述：
IGBT 1200V 110A GNX4 XPT SOT227B

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