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IXXP12N65B4D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	XPT™ 沟槽 IGBT • 低Vcesat、低Eon/Eoff\n• 针对10kHz至60kHz的中高开关频率进行了优化\n• 高浪涌电流能力和短路能力\n• 方形反向偏压安全工作区 (RBSOA)\n• 正热系数Vcesat;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXXP12N65B4D1	文件：227.75 Kbytes Page：7 Pages	Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30kHz Switching 文件：227.75 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXXP12N65B4D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXYH25N250CHV	文件：0 bytes Page：0 Pages	IXYS/LITTELFUSE TO-247-3	IXYS/LITTELFUSE 上传：深圳市斌腾达科技有限公司	IXYS/LITTELFUSE
IXYK120N120C3	文件：0 bytes Page：0 Pages	IXYS TO-264	IXYS 艾赛斯上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	IXYS

产品属性

产品编号：
IXXP12N65B4D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
XPT™, GenX4™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.95V @ 15V，12A
开关能量：
440µJ（开），220µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
13ns/158ns
测试条件：
400V，12A，20 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
IGBT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXXP12N65B4D1供应商更新时间2025-10-12 15:00:00

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