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IXXP12N65B4D1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXXP12N65B4D1
厂商型号

IXXP12N65B4D1

参数属性

IXXP12N65B4D1 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT

功能描述

Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30kHz Switching
IGBT

文件大小

227.75 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-26 15:00:00

IXXP12N65B4D1规格书详情

IXXP12N65B4D1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXXP12N65B4D1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXXP12N65B4D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    XPT™, GenX4™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,12A

  • 开关能量:

    440µJ(开),220µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    13ns/158ns

  • 测试条件:

    400V,12A,20 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT

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