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IXXK110N65B4H1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXXK110N65B4H1
厂商型号

IXXK110N65B4H1

参数属性

IXXK110N65B4H1 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 650V 240A 880W TO264

功能描述

XPTTM 650V GenX4TM
IGBT 650V 240A 880W TO264

文件大小

267.32 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 IXYS Integrated Circuits Division
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Integrated Circuits Division官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-28 18:56:00

IXXK110N65B4H1规格书详情

Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching

Features

● Optimized for 10-30kHz Switching

● Square RBSOA

● Short Circuit Capability

● Anti-Parallel Sonic Diode

● High Current Handling Capability

● International Standard Packages

Advantages

● High Power Density

● Low Gate Drive Requirement

Applications

● Power Inverters

● UPS

● Motor Drives

● SMPS

● PFC Circuits

● Battery Chargers

● Welding Machines

● Lamp Ballasts

● High Frequency Power Inverters

IXXK110N65B4H1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Integrated Circuits Division制造生产的IXXK110N65B4H1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

  • 产品编号:

    IXXK110N65B4H1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    GenX4™, XPT™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,110A

  • 开关能量:

    2.2mJ(开),1.05mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    38ns/156ns

  • 测试条件:

    400V,55A,2 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-264-3,TO-264AA

  • 供应商器件封装:

    TO-264(IXXK)

  • 描述:

    IGBT 650V 240A 880W TO264

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
23+
TO264 (IXXK)
9000
原装正品,支持实单
询价
IXYS
21+
TO264 (IXXK)
13880
公司只售原装,支持实单
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