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PHX3N60E	文件：73.73 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHX3N60E	文件：318.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

RM3N60EA

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N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Features BV>60VPtot

RECTRON

Rectron Semiconductor

RECTRON

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技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
2.9
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
3
Gate Charge (nC)：
9.8
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
1.8
Configuration：
Single
Package Type：
TO-220
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
500
Power Dissipation (W)：
70
Sample Request：
No
Replaced By Part Number：
IXTP4N65X2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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