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IXTH182N055T

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXYS

艾赛斯

IXTH182N055T

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:384.19 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTH182N055T

N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET

• 国际标准包装\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器;

Littelfuse

力特

IXTP182N055T

TrenchMV??Power MOSFET

文件:227.45 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTP182N055T

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:295.94 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTP182N055T

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXYS

艾赛斯

技术参数

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

    0.005

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

    182

  • Gate Charge (nC):

    114

  • Thermal resistance [junction-case](K/W):

    0.42

  • Configuration:

    Single

  • Typical Reverse Recovery Time (ns):

    70

  • Power Dissipation (W):

    360

  • Sample Request:

    No

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
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TO-247
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更多IXTH182N055T供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00