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IXSM40N60	文件：91.96 Kbytes Page：6 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSM40N60A	文件：91.96 Kbytes Page：6 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXST40N60B	文件：55.52 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability. 40N60,40N60A	IXYS IXYS Corporation	IXYS
KGF40N60KDA	文件：1.42453 Mbytes Page：8 Pages	KECFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergyefficiencyandshortcircuitruggedness.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGF40N60PA	文件：1.4286 Mbytes Page：6 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KGT40N60KDA	文件：437.24 Kbytes Page：7 Pages	Highspeedswitching	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
MGY40N60	文件：205.61 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguaranteedshortcircuitwithstandtimesuchasMotorControlDriv	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MGY40N60D	文件：247.07 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorwithAnti-ParallelDiode ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)isco–packagedwithasoftrecoveryultra–fastrectifierandusesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.ShortcircuitratedIGBT’sarespecificallysuitedforapplicationsrequiringaguara	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
NGTB40N60FLWG	文件：247.74 Kbytes Page：9 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB40N60IHLWG	文件：184.19 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
IXKC40N60C
功能描述：
MOSFET 28 Amps 600V 0.1 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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