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IXGX50N90B2D1	文件：208.76 Kbytes Page：7 Pages	HiPerFAST IGBT with Fast Diode HiPerFAST™ IGBT with Fast Diode B2-Class High Speed IGBT with Fast Diode Features ● High frequency IGBT ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications ● PFC circuits ● Uninterruptible power supplies (UPS) ● Switched-mode and resonant-mode power suppl 文件：208.76 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGX50N90B2D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	PT 中频 IGBT • 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管（可选）\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGH50N90B2D1	文件：208.76 Kbytes Page：7 Pages	HiPerFAST IGBT with Fast Diode HiPerFAST™ IGBT with Fast Diode B2-Class High Speed IGBT with Fast Diode Features ● High frequency IGBT ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications ● PFC circuits ● Uninterruptible power supplies (UPS) ● Switched-mode and resonant-mode power suppl 文件：208.76 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGK50N90B2D1	文件：208.76 Kbytes Page：7 Pages	HiPerFAST IGBT with Fast Diode HiPerFAST™ IGBT with Fast Diode B2-Class High Speed IGBT with Fast Diode Features ● High frequency IGBT ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications ● PFC circuits ● Uninterruptible power supplies (UPS) ● Switched-mode and resonant-mode power suppl 文件：208.76 Kbytes 页数：7 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGR50N90B2D1	文件：222.79 Kbytes Page：6 Pages	B2-Class High Speed IGBT with Fast Diode HiPerFAST™ IGBT with Fast Diode IXGR 50N90B2D1 B2-Class High Speed IGBT with Fast Diode (Electrically Isolated Back Surface) Features • Electrically isolated tab • International standard package outline • High current handling capability • MOS Gate turn-on • Drive simplicity • Rugged NPT st 文件：222.79 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Collector Current @ 25 ℃ (A)：
75
VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)：
2.7
Fall Time [Inductive Load] (ns)：
200
Configuration：
Copack (FRED)
Package Type：
PLUS247™
Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)：
0.31
Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)：
8.7
Collector Current @ 110 ℃ (A)：
50
Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)：
0.9
Forward Current @ 110 ℃ (A)：
15

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IXGX50N90B2D1	IXYS/艾赛斯	23+	PLUS247	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXGX55N120A3D1	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
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更多IXGX50N90B2D1供应商更新时间2025-10-10 11:10:00

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