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IXGR50N90B2D1	文件：222.79 Kbytes Page：6 Pages	B2-Class High Speed IGBT with Fast Diode HiPerFAST™IGBTwithFastDiodeIXGR50N90B2D1B2-ClassHighSpeedIGBTwithFastDiode(ElectricallyIsolatedBackSurface) Features •Electricallyisolatedtab •Internationalstandardpackageoutline •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on •Drivesimplicity •RuggedNPTst	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGR50N90B2D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 900V 40A 100W ISOPLUS247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH50N90B2D1	文件：208.76 Kbytes Page：7 Pages	HiPerFASTIGBTwithFastDiode HiPerFAST™IGBTwithFastDiode B2-ClassHighSpeedIGBTwithFastDiode Features ●HighfrequencyIGBT ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications ●PFCcircuits ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Switched-modeandresonant-modepowersuppl	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGK50N90B2D1	文件：208.76 Kbytes Page：7 Pages	HiPerFASTIGBTwithFastDiode HiPerFAST™IGBTwithFastDiode B2-ClassHighSpeedIGBTwithFastDiode Features ●HighfrequencyIGBT ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications ●PFCcircuits ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●Switched-modeandresonant-modepowersuppl	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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产品属性

产品编号：
IXGR50N90B2D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，50A
开关能量：
4.7mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
20ns/350ns
测试条件：
720V，50A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
ISOPLUS247™
描述：
IGBT 900V 40A 100W ISOPLUS247

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