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IXGX12N90C	文件：148.87 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFAST IGBT Lightspeed Series	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGX12N90C	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3 变式；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 900V 24A 100W PLUS247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
12N90	文件：192.21 Kbytes Page：5 Pages	12A,900VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
12N90	文件：49.38 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISC12N90C	文件：275.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.95Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Switchmodepowersupply ·DC-DCconverters ·ACmotorcontrol	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH12N90	文件：372.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH12N90	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH12N90	文件：85.99 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH12N90P	文件：372.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH12N90P	文件：184.73 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET Polar™HiPerFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •InternationalStandardPackages •AvalancheRated •LowPackageInductance •FastIntrinsicDiode Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity Applications: •Sw	IXYS IXYS Corporation	IXYS

产品属性

产品编号：
IXGX12N90C
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™, Lightspeed™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，12A
开关能量：
320µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
20ns/135ns
测试条件：
720V，12A，22 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
供应商器件封装：
PLUS247™-3
描述：
IGBT 900V 24A 100W PLUS247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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