IXTH12N90中文资料IXYS数据手册PDF规格书
IXTH12N90规格书详情
MegaMOS™ FET
N-Channel Enhancement Mode
特性 Features
• International standard packages
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Low package inductance (< 5 nH)
- easy to drive and to protect
• Fast switching times
Applications
• Switch-mode and resonant-mode power supplies
• Motor controls
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• DC choppers
Advantages
• Easy to mount with 1 screw (TO-247)
(isolated mounting screw hole)
• Space savings
• High power density
产品属性
- 型号：
IXTH12N90
- 功能描述：
MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
32365 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IXYS |
2016+ |
TO-247 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2022+ |
TO-247 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
VB |
23+ |
TO-247 |
7000 |
询价 | |||
IXYS |
2022+ |
TO-247-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
- |
23+ |
NA |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
