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IXTH12N100分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

IXTH12N100
厂商型号

IXTH12N100

参数属性

IXTH12N100 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

功能描述

MegaMOS FET
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

封装外壳

TO-247-3

文件大小

106.76 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
IXYS
数据手册

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更新时间

2025-8-5 13:59:00

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IXTH12N100规格书详情

IXTH12N100属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由IXYS Corporation制造生产的IXTH12N100晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

N-Channel Enhancement Mode

特性 Features

● International standard packages

● Low RDS(on) HDMOS™ process

● Rugged polysilicon gate cell structure

● Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

● Fast switching times

Applications

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

● Motor controls

● Uninterruptible Power Supplies (UPS)

● DC choppers

Advantages

● Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

● Space savings

● High power density

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXTH12N100Q

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    Q Class

  • 包装:

    管件

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    12A(Tc)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-247(IXTH)

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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