IXTH10P50中文资料IXYS数据手册PDF规格书
IXTH10P50规格书详情
Standard Power MOSFET
P-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
特性 Features
• International standard packages
• Low RDS (on) HDMOSTM process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
• Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
产品属性
- 型号：
IXTH10P50
- 功能描述：
MOSFET -10 Amps -500V 0.9 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Littelfuse/IXYS |
24+ |
TO247 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
NA |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
TO-247 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
NA |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
IXYS |
22+23+ |
NA |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
NA |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
NA |
299 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
NA |
20000 |
询价 |
