IXTH10P60中文资料PDF规格书
IXTH10P60规格书详情
Power MOSFETs
P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
Features
• International Standard Packages
• Low RDS (on) HDMOSTM Process
• Rugged Polysilicon Gate Cell Structure
• Avalanche Rated
• Low Package Inductance - Easy to Drive and to Protect
Advantages
• Easy to Mount
• Space Savings
• High Power Density
Applications
• High-Side Switching
• Push Pull Amplifiers
• DC Choppers
• Automatic Test Equipment
产品属性
- 型号:
IXTH10P60
- 功能描述:
MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
2048+ |
TO-3P |
9851 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
2335 |
Original |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
询价 | ||
IXYS |
07+/08+ |
TO-247AD |
409 |
询价 | |||
apec |
2023+ |
TO-220 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
21+ |
TO-3P |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
23+ |
N/A |
78000 |
一级代理放心采购 |
询价 | |||
IXYS |
2020+ |
TO-3P |
20 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-247(IXTH) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 |