IXTH10P60中文资料IXYS数据手册PDF规格书
IXTH10P60规格书详情
Power MOSFETs
P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
特性 Features
• International Standard Packages
• Low RDS (on) HDMOSTM Process
• Rugged Polysilicon Gate Cell Structure
• Avalanche Rated
• Low Package Inductance - Easy to Drive and to Protect
Advantages
• Easy to Mount
• Space Savings
• High Power Density
Applications
• High-Side Switching
• Push Pull Amplifiers
• DC Choppers
• Automatic Test Equipment
产品属性
- 型号：
IXTH10P60
- 功能描述：
MOSFET -10 Amps -600V 1 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IXYS |
17+ |
TO-3P |
5 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
IXYS |
2020+ |
TO-3P |
20 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
5540 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2324+ |
NA |
78920 |
二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-247 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
2405+ |
Original |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
询价 |
