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IXTH12N150中文资料PDF规格书
IXTH12N150规格书详情
High Voltage Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Features
• International Standard Packages
• Molding Epoxies Weet UL 94 V-0 Flammability Classification
• Fast Intrinsic Diode
• Low Package Inductance
Advantages
• Easy to Mount
• Space Savings
• High Power Density
Applications
• High Voltage Power Supplies
• Capacitor Discharge
• Pulse Circuits
产品属性
- 型号:
IXTH12N150
- 功能描述:
MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
TO-247(IXTH) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
询价 | ||
IXYS |
21+ |
TO-247 |
56000 |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO-247-3 |
300 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
SMD |
67000 |
原装正品实单可谈 库存现货 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-247 |
1298 |
询价 | |||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
2368 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO2473 |
9000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
360000 |
进口原装房间现货实库实数 |
询价 |