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LOGO

IXGP48N60B3

文件：228.79 Kbytes

Page：6 Pages

GenX3600VIGBT

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3™insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3™IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

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技术参数

Collector Current @ 25 ℃ (A)：
60
VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)：
2.1
Fall Time [Inductive Load] (ns)：
116
Configuration：
Copack (FRED)
Package Type：
TO-247IU
Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)：
0.83
Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)：
1.3
Collector Current @ 110 ℃ (A)：
27
Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)：
1.5
Forward Current @ 110 ℃ (A)：
27

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星辰微电科技有限公司	IXGR48N60B3	IXYS(艾赛斯)	23+	N/A	7500	IXYS(艾赛斯)全系列在售	询价
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