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IXGR48N60B3	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGR48N60B3D1	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGR48N60B3D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	PT 中频IGBT; • 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管（可选）\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT\n;	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
IXGR48N60B3D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 150W ISOPLUS247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGR48N60B3D4A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V ISOPLUS247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXGA48N60B3	文件：228.79 Kbytes Page：6 Pages	GenX3600VIGBT OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3™insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3™IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXGH48N60B3	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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技术参数

Collector Current @ 25 ℃ (A)：
60
VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)：
2.1
Fall Time [Inductive Load] (ns)：
116
Configuration：
Copack (FRED)
Package Type：
TO-247IU
Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)：
0.83
Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)：
1.3
Collector Current @ 110 ℃ (A)：
27
Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)：
1.5
Forward Current @ 110 ℃ (A)：
27

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星辰微电科技有限公司	IXGR48N60B3	IXYS(艾赛斯)	23+	N/A	7500	IXYS(艾赛斯)全系列在售	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXGR48N60B3D4A	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IXGR48N60B3D4A	IXYS	25+	TO-247-3	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价

更多IXGR48N60B3供应商更新时间2025-7-28 17:43:00

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