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IXGR48N60B3	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications 文件：839.36 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGR48N60B3D1	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications 文件：839.36 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGR48N60B3D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	PT 中频IGBT • 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管（可选）\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGR48N60B3D4A	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2 Rds	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGR48N60B3D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 150W ISOPLUS247	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGR48N60B3D4A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V ISOPLUS247	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Collector Current @ 25 ℃ (A)：
60
VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)：
2.1
Fall Time [Inductive Load] (ns)：
116
Configuration：
Copack (FRED)
Package Type：
TO-247IU
Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)：
0.83
Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)：
1.3
Collector Current @ 110 ℃ (A)：
27
Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)：
1.5
Forward Current @ 110 ℃ (A)：
27

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