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IXGR32N170AH1

High Voltage IGBT with Diode

High Voltage IGBT with Diode Electrically Isolated Tab Features • Electrically Isolated tab • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Rugged NPT structure • Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications • Capacitor discharge

文件:525.01 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGR32N170AH1

High Voltage IGBT with Diode

High Voltage IGBT with Diode Electrically Isolated Tab Features • Electrically Isolated tab • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Rugged NPT structure • Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications • Capacitor discharge

文件:528.6 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGR32N170AH1

NPT 高电压 IGBT

• 国际标准包装\n• 高电流处理能力\n• MOS栅极开启 - 简化设计\n• 坚固的NPT结构\n• 成型环氧树脂达到UL 94V-0可燃性分类要求;

Littelfuse

力特

IXGR32N170AH1

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1700V 26A 200W ISOPLUS247

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXGR32N170AH1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    5.2V @ 15V,21A

  • 开关能量:

    1.5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    46ns/260ns

  • 测试条件:

    1360V,21A,2.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS247™

  • 描述:

    IGBT 1700V 26A 200W ISOPLUS247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXGR32N170AH1供应商 更新时间2026-2-4 10:19:00