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IXGR32N170AH1分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXGR32N170AH1
厂商型号

IXGR32N170AH1

参数属性

IXGR32N170AH1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 1700V 26A 200W ISOPLUS247

功能描述

High Voltage IGBT with Diode
IGBT 1700V 26A 200W ISOPLUS247

文件大小

525.01 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-24 17:11:00

IXGR32N170AH1规格书详情

High Voltage IGBT with Diode

Electrically Isolated Tab

Features

• Electrically Isolated tab

• High current handling capability

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

• Rugged NPT structure

• Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Applications

• Capacitor discharge & pulser circuits

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

IXGR32N170AH1属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Corporation制造生产的IXGR32N170AH1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGR32N170AH1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    5.2V @ 15V,21A

  • 开关能量:

    1.5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    46ns/260ns

  • 测试条件:

    1360V,21A,2.7 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS247™

  • 描述:

    IGBT 1700V 26A 200W ISOPLUS247

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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