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IXFK25N80	文件：162.51 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETTMPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •JEDECTO-264AA,epoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilic	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXFK25N80	文件：328.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.35.Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXKC25N80C	文件：119.19 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeLowRDSon,highVDSSMOSFETElectricallyIsolatedBackSurface N-ChannelEnhancementMode LowRDSon,highVDSSMOSFET ElectricallyIsolatedBackSurface Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -highpowerdissipation -isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •3rdgenerationCoolMOS™1)powerMOSFET -high	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXKG25N80C	文件：500 Kbytes Page：2 Pages	CoolMOSPowerMOSFETISO264	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXKR25N80C	文件：116.82 Kbytes Page：2 Pages	AdvancedTechnicalInformationCoolMOSPowerMOSFETinISOPLUS247Package	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

详细参数

型号：
IXGM25N80A
功能描述：
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 50A I(C) | TO-204AE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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