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IXGH100N30B3

PT 中频 IGBT

• 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管(可选)\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;

Littelfuse

力特

IXGH100N30B3

GenX3 300V IGBT

文件:163.19 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGH16N170

TO-3P

IXGH45N120

TO-247

IXGH60N60C3D1

Module

技术参数

  • Collector Current @ 25 ℃ (A):

    75

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V):

    1.7

  • Configuration:

    Single

  • Package Type:

    TO-247

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W):

    0.27

  • Collector Current @ 110 ℃ (A):

    100

  • Obsolete Date:

    01/11/2019

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXGH100N30B3供应商 更新时间2026-1-31 14:00:00