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|---|---|---|---|---|
IXFX520N075 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=520A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =2.2mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv 文件：366.99 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET 文件：183.94 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
N通道沟槽栅 Gen2 MOSFET • 高电流性能（高达600A）\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | ||
TO-263 | IXYS/LITTELFUSE 上传：深圳市斌腾达科技有限公司 | IXYS/LITTELFUSE | ||
ISOPLUS i4-PAC | IXYS |
详细参数
- 型号：
IXFX520N075
- 功能描述：
MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 520A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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封装 |
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
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