HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)

HiPerFET™ Power MOSFET ISOPLUS247™ (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate - High power dissipation - Isolated mounting surface - 2500V electrical isolation • Low drain to tab capacit

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IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 22A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 1000V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 390mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

N通道HiPerFET MOSFET

• 国际标准包装 \n• 高电流处理能力\n• 低RDS(on) HDMOS过程\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 快速本征二极管;

Littelfuse

力特

HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247

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IXYS

艾赛斯

N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier

文件：148.62 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET

• 每个硅片面积的Rdson较低\n• 较低的Qg和Qgd\n• 卓越的dV/dt性能\n• 高速开关\n• 快速本征整流器\n• 较低的本征栅极电阻\n• 较高的雪崩能量性能\n• 卓越的热性能;

Littelfuse

力特