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IXFR24N100中文资料艾赛斯数据手册PDF规格书

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厂商型号

IXFR24N100

功能描述

HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)

文件大小

36.22 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

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数据手册

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更新时间

2025-11-12 18:36:00

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IXFR24N100规格书详情

HiPerFET™ Power MOSFET ISOPLUS247™ (Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

特性 Features

• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

• Low drain to tab capacitance(<30pF)

• Low RDS (on) HDMOSTM process

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Avalanche rated

• Fast intrinsic Rectifier

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

• DC choppers

• AC motor drives

Advantages

• Easy assembly

• Space savings

• High power density

产品属性

  • 型号:

    IXFR24N100

  • 功能描述:

    MOSFET 1KV 22A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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