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IXFQ30N60X	文件：190.96 Kbytes Page：6 Pages	Preliminary Technical Information 文件：190.96 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFQ30N60X	文件：301.68 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：301.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFQ30N60X	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道超-超级结MOSFET • 超低通态电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg\n• 快速体二极管\n• dv/dt强度\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感\n• 国际标准包装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFR30N60	文件：330.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 250mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：330.64 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFR30N60P	文件：141.46 Kbytes Page：4 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET 文件：141.46 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFT30N60P	文件：330.12 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode PolarHV™ HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated Features ● Fast Recovery diode ● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated ● International standard packages ● Low package inductance - easy to drive and to protect 文件：330.12 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.155
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
30
Gate Charge (nC)：
56
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.25
Configuration：
Single
Package Type：
TO-3P
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
145
Power Dissipation (W)：
500
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

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更多IXFQ30N60X供应商更新时间2025-12-8 10:19:00

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